收藏本站
Si5485DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
V GS = 5 V thr u 3 V
V GS = 2.5 V
10
8
1 8
12
6
V GS = 2 V
6
4
2
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
V GS = 1.5 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.10
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1 8 00
1500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.06
1200
C iss
V GS = 2.5 V
900
0.04
600
0.02
V GS = 4.5 V
300
C oss
C rss
0.00
0
0
6
12
1 8
24
30
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 . 8 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 5.9 A
8
V DS = 10 V
1.4
V GS = 4.5 V , 2.5 V
6
4
2
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73779
S-81448-Rev. C, 23-Jun-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5853CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SI5853DDC-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5486DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5486DU_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5486DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DUV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI54-8R2 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI5499DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI5499DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube